
단결정 Al2O3 유전체를 이용하여 고성능 2D 트랜지스터 상부 게이트를 제작하였다.


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By using intercalative oxidation techniques, stable, stoichiometric and atomically thin single-crystalline Al2O3 films can be produced, which can be effectively used as a dielectric in top-gated field-effect transistors based on two-dimensional materials.

Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors - Nature

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단결정 금속 산화물 유전체를 이용한 2D 트랜지스터 상부 게이트 제작
