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材料中の粒界に存在する二次粒界転位は、溶質原子の偏析エネルギーに大きな影響を与え、材料の特性を制御するための新たな設計指針となる可能性がある。

HfO2とZrO2の交互積層により作製した多層薄膜は、ZrO2単層膜では得られない強誘電性を示し、さらに、HfO2単層膜と比較してウェイクアップサイクル数が大幅に減少する。

本研究では、レーザー加熱を用いた高温分子線エピタキシー法により、基板からの酸素拡散を利用した新規の酸化チタン薄膜合成法を開発し、従来法よりも高品質で制御性の高いエピタキシャル薄膜成長を実現した。

単結晶 Weyl 酸化物 SrRuO3 の単層において、微小な酸素原子変位によって生じるスピンベリー曲率が、低電流密度でのスピン軌道トルク磁化反転を誘起することを実証した。

引張応力を印加することで、カルピーガネリウム相の層状構造を安定化させ、単一ユニットセル厚まで強誘電性を維持したLa${2}$Ti${2}$O$_{7}$ 薄膜の作製に成功した。

本研究では、従来の遷移金属MXenesとは異なり、半導体性と強磁性を示す、新しいランタニドMXenesの合成方法とその特性、メカニズムについて報告している。

Zr添加と2:17相双晶がSmCo磁石のセルラー/ラメラナノ構造形成に重要な役割を果たすが、高い保磁力を得るにはナノスケールの化学的勾配が不可欠である。

硫化物ペロブスカイトであるBaZrS3単結晶を用いた高性能オプトエレクトロニクスデバイスを実現するために、表面誘電体層の課題を克服するドライエッチングベースの電気接点製造プロセスが開発された。

本稿では、マイクロスケール独立型単結晶複合酸化物デバイスアレイを作製するための、ウェットケミカルエッチングベースの微細加工プロセスとエピタキシャルリフトオフを組み合わせた汎用的な作製戦略を提示する。

REBCO テープの90度ピールテストは、銅層の厚さとRRRの影響を大きく受けるものの、大量のテープの中から剥離強度の低いものを迅速に特定できる有効な品質保証ツールである。

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