高性能なBaZrS3単結晶オプトエレクトロニクスデバイスのための電気接点の最適化

硫化物ペロブスカイトであるBaZrS3単結晶を用いた高性能オプトエレクトロニクスデバイスを実現するために、表面誘電体層の課題を克服するドライエッチングベースの電気接点製造プロセスが開発された。