本研究では、5つのトランジスタと2つの磁気トンネル接合から成る新しい不揮発性のスピン移行トルク支援型スピン軌道トルクベースの三値連想メモリを提案する。デバイスレベルからアプリケーションレベルまで包括的な検討を行い、高精度な検索と書き込み性能を実現している。