Основные понятия
本文展示了一種結合低介電常數底部填充技術的超高效雙頻薄膜鈮酸鋰調製器,該調製器在 C 波段和 O 波段均表現出優異的性能,包括低半波電壓、超寬頻寬和超高調製效率,並成功實現了高達 390 Gbit/s 的 PAM8 數據傳輸,為下一代超高速、低功耗光通信系統提供了 promising 的解決方案。
Аннотация
結合低介電常數底部填充技術的超高效雙頻薄膜鈮酸鋰調製器
薄膜鈮酸鋰 (TFLN) 作為一種多功能光子平台,具有優異的材料特性,包括顯著的普克爾斯效應、出色的溫度穩定性、寬透明窗口和緊湊的光學限制,適用於緊湊的電極佈局。
高速 TFLN 電光 (EO) 調製器是光子集成電路的關鍵組成部分,具有低驅動電壓、寬頻寬和緊湊尺寸等優點,對於未來高容量數據中心、電信系統和量子光學至關重要。
然而,傳統的共面波導 (CPW) 電極難以同時保證低半波電壓和寬調製頻寬,因為減小電極間隙會導致微波損耗增加。
本文旨在提出並演示一種結合低介電常數底部填充技術的超高效 TFLN 馬赫-曾德爾調製器 (MZM),以突破電壓-頻寬限制,並確保顯著的整體性能提升。