본 연구는 CsSnI$_3$ 페로브스카이트의 p형 자가 도핑 문제를 해결하기 위해 밀도범함수 이론(DFT)과 머신러닝(ML)을 결합하여 치환 도펀트의 형성 에너지 및 전하 전이 레벨을 예측하는 모델을 개발하고, 도핑을 통한 결함 엔지니어링 가능성을 제시합니다.
2차원 오각형 PdTe2에서 결함 엔지니어링을 통해 전자, 광학 및 자기적 특성을 미세하게 조정할 수 있다.
