Amplifikation der Lesestörungen in modernen DRAM-Chips
Das RowPress-Phänomen in DRAM-Chips führt zu einer signifikanten Erhöhung der Anfälligkeit gegenüber Lesestörungen, indem es die Anzahl der erforderlichen Aktivierungen des Aggressor-Rows deutlich reduziert, um Bitfehler zu verursachen.
